申请号:
CN201310369919.3
申请日:
2013-08-22
发明人:
何俊
张雪梅
程治英
李德铢
IPC主分类号:
A01H4/00
申请人:
中国科学院昆明植物研究所
专利类别:
发明专利
国家:
中国
提供建立梳唇石斛（DendrobiumstrongylanthumRchb.f.）离体持续开花体系的方法，取梳唇石斛外植体，进行离体培养，培养温度为25±2℃，光照强度为20μmol/（m2·s），光照12h/d，基本培养基为1/2MS，诱导丛芽产生花序、花序切段培养及营养生长和生殖生长相互转换的培养基为1/2MS+BA0.5mg/L+NAA0.2mg/L+S3%或1/2MS+NAA0.5mg/L+PPP3330.2mg/L+S2%或1/2MS+NAA0.5mg/L+Ac0.05%+S2%，所有培养基PH值为5.8，加5.6g/L琼脂固化。
