申请号:
CN202311254481.4
申请日:
2023-09-27
发明人:
何俊
李村富
李春芳
IPC主分类号:
A01H4/00
申请人:
中国科学院昆明植物研究所
专利类别:
发明专利
国家:
中国
本发明涉及一种樱草试管开花诱导培养方法，属于植物组织培养技术领域，本发明所述培养基为花宝1号3g/L+NAA0.5mg/L+蔗糖20g/L+AC 1g/L+琼脂7g/L，pH为5.8，培养温度15℃，光照强度1600lx，光照时间12h/d。为本发明利用所述培养基和培养方法可以完成诱导樱草试管内开花，具有实验操作简单、周期短、实用性强等优点，为观花类试管花卉工厂化生产提供理论基础和技术支持。
