申请号:
CN202210029522.9
申请日:
2022-01-12
发明人:
张伟
张石宝
IPC主分类号:
C12N5/04
申请人:
中国科学院昆明植物研究所
专利类别:
发明专利
国家:
中国
本发明涉及独蒜兰培养技术领域,特别是涉及一种提高独蒜兰远缘杂交种子萌发率的培养基及其应用和培育方法。本发明所述培养基以1/2MS培养基为基础培养基,还包括以下组分:NAA 0.5~1mg/L、蔗糖30g/L、椰汁100mL/L、琼脂7g/L和活性炭1g/L,所述培养基的pH值为5.6~5.8。本发明提供的培养基通过在常规独蒜兰培养基中复配适宜浓度的椰汁和活性炭,显著提高了独蒜兰杂交种子的萌发率,从而降低了远缘杂交独蒜兰的培育成本。